Konstruksi dan Prinsip Kerja Dioda

Konstruksi dan Prinsip Kerja Dioda - Dioda adalah komponen semikonduktor yang dibentuk dengan cara menyambungkan semi-konduktor tipe p dan semikonduktor tipe n. Pada saat terjadinya sambungan (junction) p dan n, hole-hole pada bahan p dan elektron-elektron pada bahan n disekitar sambungan cenderung untuk berkombinasi. Hole dan elektron yang berkombinasi ini saling meniadakan, sehingga pada daerah sekitar sambungan ini kosong dari pembawa muatan dan terbentuk daerah pengosongan (depletion region).

Konstruksi Dioda

Konstruksi DiodaKonstruksi Dioda
Oleh karena itu pada sisi p tinggal ion-ion akseptor yang bermuatan negatip dan pada sisi n tinggal ion-ion donor yang bermuatan positip. Namun proses ini tidak berlangsung terus, karena potensial dari ion-ion positip dan negatip ini akan mengahalanginya. Tegangan atau potensial ekivalen pada daerah pengosongan ini disebut dengan tegangan penghalang (barrier potential). Besarnya tegangan penghalang ini adalah 0.2 untuk germanium dan 0.6 untuk silikon.
Konstruksi Dan Simbol DiodaBentuk Fisik Dioda Dan Simbol Dioda

Prinsip Kerja Dioda

Suatu dioda bisa diberi bias mundur (reverse bias) atau diberi bias maju (forward bias) untuk mendapatkan karakteristik yang diinginkan. Bias mundur adalah pemberian tegangan negatip baterai ke terminal anoda (A) dan tegangan positip ke terminal katoda (K) dari suatu dioda. Dengan kata lain, tegangan anoda katoda VA-K adalah negatip (VA-K < 0). Apabila tegangan positip baterai dihubungkan ke terminal Anoda (A) dan negatipnya ke terminal katoda (K), maka dioda disebut mendapatkan bias maju (foward bias).
Dioda Diberi Bias MundurDioda Diberi Bias Mundur
Dioda Diberi Bias MajuDioda Diberi Bias Maju

Karakteristik Dioda

Hubungan antara besarnya arus yang mengalir melalui dioda dengan tegangan VA-K dapat dilihat pada kurva karakteristik dioda.
Kurva Karakteristik DiodaKurva Karakteristik Dioda
Gambar diatas menunjukan dua macam kurva, yakni dioda germanium (Ge) dan dioda silikon (Si). Pada saat dioda diberi bias maju, yakni bila VA-K positip, maka arus ID akan naik dengan cepat setelah VA-K mencapai tegangan cut-in (Vg). Tegangan cut-in (Vg) ini kira-kira sebesar 0.2 Volt untuk dioda germanium dan 0.6 Volt untuk dioda silikon. Dengan pemberian tegangan baterai sebesar ini, maka potensial penghalang (barrier potential) pada persambungan akan teratasi, sehingga arus dioda mulai mengalir dengan cepat.
Bagian kiri bawah dari grafik karakteristik dioda diatas merupakan kurva karakteristik dioda saat mendapatkan bias mundur. Disini juga terdapat dua kurva, yaitu untuk dioda germanium dan silikon. Besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation current) Is untuk dioda germanium adalah dalam orde mikro amper dalam contoh ini adalah 1 mA. Sedangkan untuk dioda silikon Is adalah dalam orde nano amper dalam hal ini adalah 10 nA.
Apabila tegangan VA-K yang berpolaritas negatip tersebut dinaikkan terus, maka suatu saat akan mencapai tegangan patah (break-down) dimana arus Is akan naik dengan tiba-tiba. Pada saat mencapai tegangan break-down ini, pembawa minoritas dipercepat hingga mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom. Kemudian elektron ini juga dipercepat untuk membebaskan yang lainnya sehingga arusnya semakin besar. Pada dioda biasa pencapaian tegangan break-down ini selalu dihindari karena dioda bisa rusak.
Hubungan arus dioda (ID) dengan tegangan dioda (VD) dapat dinyatakan dalam persamaan matematis yang dikembangkan oleh W. Shockley, yaitu :
Rumus Hubungan Arus Dan Tegangan Diodadimana:
ID = arus dioda (amper)
Is = arus jenuh mundur (amper)
e = bilangan natural, 2.71828…
VD = beda tegangan pada dioda (volt)
n = konstanta, 1 untuk Ge; dan » 2 untuk Si
VT = tegangan ekivalen temperatur (volt)
Harga Is suatu dioda dipengaruhi oleh temperatur, tingkat doping dan geometri dioda. Dan konstanta n tergantung pada sifat konstruksi dan parameter fisik dioda. Sedangkan harga VT ditentukan dengan persamaan :
Koefisien Temperature Diodadimana:
k = konstanta Boltzmann, 1.381 x 10-23 J/K
(J/K artinya joule per derajat kelvin)
T = temperatur mutlak (kelvin)
q = muatan sebuah elektron, 1.602 x 10-19 C
Pada temperatur kamar 25OC, maka besarnya tegangan ekivalen (VT) adalah sebesar
Tegangan Ekivalen Temperatur Ruangan DiodaUntuk nilai pendekatan banyak buku data memberikan nilai referensi VT=25mV atau VT=26mV.
Sebagaimana telah disebutkan bahwa arus jenuh mundur, Is, dipengaruhi oleh beberapa faktor seperti: doping, persambungan, dan temperatur. Namun karena dalam pemakaian suatu komponen dioda, faktor doping dan persambungan adalah tetap, maka yang perlu mendapat perhatian serius adalah pengaruh temperatur dioda.

Benarkah jika kita berdarah di laut, kita akan dikejar hiu?


Benarkah jika kita berdarah di laut, kita akan dikejar hiu? - Karena banyak film bergenre 'musibah' yang ada di televisi, muncul mitos unik yang menyebutkan bahwa jika kita sedang berenang di laut lalu berdarah, hiu akan segera menciumnya dari kejauhan dan kita dikejar.

Namun benarkah hal tersebut? Mari kita lihat dari sudut pandang ilmu pengetahuan.

Dalam hal ini ternyata apa yang terjadi di film sangat dilebih-lebihkan. Jika kita berada di pantai lalu berdarah, ikan hiu tak akan mengarungi lautan hanya karena kaki kita berdarah. Meski demikian, hiu punya penciuman yang cukup baik untuk mendeteksi mangsa.

Hiu punya porsi besar di otaknya untuk indera penciuman. Penciuman darah ini juga sebenarnya bukan bagian yang fiktif dari mitos ini, karena hiu bisa mencium tetesan darah mangsa dengan perbandingan satu tetes banding 10 milyar tetes. Dengan ini, ikan hui bisa mencium tetesan darah hanya pada jarak seluas kolam renang ukuran Olimpiade saja, tidak dalam jarak yang sangat jauh.

Lautan adalah area yang sangat-sangat luas, dan molekul bau dari darah tentu butuh waktu juga untuk melayang. Jadi ketika ada mangsa, hiu bisa menciumnya pada jarak sekitar beberapa ratus meter saja, tidak ratusan kilometer.

Samsung Galaxy S8 masuk Indonesia April mendatang


Samsung Galaxy S8 masuk Indonesia April mendatang - Samsung rencananya pada kuartal pertama tahun 2017 ini akan meluncurkan smartphone flagship terbarunya yaitu Galaxy S8. Direncanakan akan dirilis di Indonesia pada bulan April.

Resmi masuk ke pasar Indonesia sendiri, sejatinya dilakukan setelah ponsel mendapat sertifikasi, salah satunya dari Ditjen Postel, Kementerian Komunikasi dan Informatika (Kemkominfo).

Pernyataan itu disampaikan oleh Vice President Samsung Indonesia, Lee Kang Hyun.

Menurutnya, peluncuran Samsung Galaxy S8 di Indonesia, menyusul setelah dirilis global. Sayang, dia tidak menyebutkan kapan dirilis global. Nantinya, Samsung Galaxy S8 ini juga akan dirakit di Indonesia.

"April Galaxy S8 akan dirilis. Di global saya lupa kapan pastinya. Tapi ini (Samsung Galaxy S8) dirakit di Indonesia," ujarnya kepada awak media usai acara seminar yang diadakan Indonesia Technology Forum di Balai Kartini, Jakarta, Kamis (19/1).

Disebutkannya juga, harga dari Galaxy S8 ini tak jauh berbeda dengan seri flagship sebelumnya, sebagai contoh produk yang gagal di pasaran Galaxy Note 7.

"Harganya hampir samalah seperti sebelumnya. Sekitar di atas Rp 10 jutaan," kata Lee yang enggan menyebutkan fitur unggulan Samsung Galaxy S8 secara detail.

"Yang pasti punya keunggulan lebih," tambahnya.

Sebelumnya, dirumorkan bahwa Samsung akan kembali membuat dua versi dari Galaxy S8, dengan nama kode 'Dream' dan 'Dream 2.' Galaxy S8 akan mengusung layar curved edge pada kedua modelnya. Namun itu baru rumor. Jelasnya tunggu Samsung keluarkan resmi Galaxy S8 dalam waktu dekat ini.

Apple dikabarkan bakal bangun pusat riset di Banten


Apple dikabarkan bakal bangun pusat riset di Banten - Apple saat ini tengah mengurus rencananya membangun pusat riset dan pengembangan di Indonesia. Dilaporkan Reuters, investasi Apple sebagai bentuk kepatuhan menjalankan kewajiban Tingkat Komponen Dalam Negeri (TKDN) ini, memakan dana sekitar USD44 juta.

Bahkan kabarnya, Apple akan membangun pusat riset dan pengembangan lebih dari dua tempat. Sayang, letak tempatnya itu belum diketahui secara pasti. Masih dalam kajian oleh tim Apple.

Kendati begitu, Menteri Komunikasi dan Informatika (Menkominfo) Rudiantara memberikan sinyal jika Apple telah menentukan kawasan yang akan dibangun sebagai tempat pusat riset dan pengembangan.

"Setahu saya, Apple sudah menentukan lokasinya. Secara administrasi itu bukan di Jakarta, tetapi dekat Jakarta," ujarnya kepada awak media usai menjadi pembicara diskusi Indonesia Technology Forum (ITF) di Balai Kartini, Jakarta, Kamis (19/1).

Awak media pun mendesak Menkominfo untuk memberitahukan lokasi jelas pusat riset dan pengembangan Apple yang dimaksud bukan di wilayah Jakarta. Salah satu awak media tak sengaja menyebut provinsi Banten sebagai lokasi yang akan ditempati Apple. Sejurus kemudian, Menkominfo pun tersenyum.

"Kok tahu aja sih?" kata pria yang akrab disapa Chief RA.

Menkominfo memang tak gamblang saat menjawab pertanyaan itu. Hanya saja, jika provinsi Banten yang dipilih, maka hal itu secara tidak langsung membenarkan pernyataannya tempo dulu ketika ditanya hal senada. Saat itu, dia berharap agar Apple tak membangun hanya di Jawa saja melainkan pula di luar Jawa.

"Pertama kali di Pulau Jawa tak masalah. Namun ke depannya, saya minta kepada Apple harus bersifat Indonesia sentris. Soal tempatnya di mana, itu terserah mereka saja. Yang penting jangan hanya di Pulau Jawa saat membangun pusat riset dan pengembangan selanjutnya," katanya pada suatu kesempatan.